IRG7CH50K10EF - IGBT CHIP WAFER
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT CHIP WAFER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
109785 Pieces
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Specifiche per IRG7CH50K10EF
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRG7CH50K10EF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
IGBT CHIP WAFER
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) :
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 25A
Potenza - Max :
-
Cambiare energia :
-
Tipo di input :
Standard
Carica del cancello :
170nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C :
50ns/280ns
Condizione di test :
600V, 35A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
Die
Pacchetto dispositivo fornitore :
Die
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRG7CH50K10EF
Schede tecniche :
IRG7CH50K10EF.pdf
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