IXTH24N65X2 - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
120825 Pieces
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USD 2.322
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Specifiche per IXTH24N65X2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXTH24N65X2
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2060pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 390W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IXT , IXTH2

Documenti per IXTH24N65X2

Schede tecniche : IXTH24N65X2.pdf

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