ES3HBHM4G - DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ES3HBHM4G
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2939625 Pieces
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Specifiche per ES3HBHM4G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : ES3HBHM4G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 500V
Corrente: media rettificata (Io) : 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 500V
Capacità @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AA (SMB)
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per ES3HBHM4G
Schede tecniche : ES3HBHM4G.pdf
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