TPH4R50ANH,L1Q - MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per TPH4R50ANH,L1Q

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TPH4R50ANH,L1Q
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Serie : U-MOSVIII-H
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TPH4 , TPH4R50

Documenti per TPH4R50ANH,L1Q

Schede tecniche : TPH4R50ANH,L1Q.pdf

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