SIHF6N65E-GE3 - MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP

codice articolo del costruttore

SIHF6N65E-GE3

Numero parte interna

AX-SIHF6N65E-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

168805 Pieces

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Specifiche per SIHF6N65E-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIHF6N65E-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 31W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220 Full Pack

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIHF , SIHF6N

Documenti per SIHF6N65E-GE3

Schede tecniche : SIHF6N65E-GE3.pdf

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