SIHJ10N60E-T1-GE3 - MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
141265 Pieces
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Specifiche per SIHJ10N60E-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SIHJ10N60E-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
Serie :
E
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
784pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
89W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SIHJ10N60E-T1-GE3
Schede tecniche :
SIHJ10N60E-T1-GE3.pdf
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