BSC059N03ST - MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BSC059N03ST
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
69615 Pieces
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Specifiche per BSC059N03ST
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSC059N03ST
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta), 89A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2670pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8 Dual
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per BSC059N03ST
Schede tecniche : BSC059N03ST.pdf
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