FCH190N65F-F085 - MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

codice articolo del costruttore

FCH190N65F-F085

Numero parte interna

AX-FCH190N65F-F085

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

96750 Pieces

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Specifiche per FCH190N65F-F085

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCH190N65F-F085

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Serie : Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3181pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 208W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCH19 , FCH190N

Documenti per FCH190N65F-F085

Schede tecniche : FCH190N65F-F085.pdf

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