STL3N10F7 - MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

codice articolo del costruttore

STL3N10F7

Numero parte interna

AX-STL3N10F7

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

483820 Pieces

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Specifiche per STL3N10F7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STL3N10F7

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 408pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerFlat™ (2x2)

Pacchetto / caso : 6-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STL , STL3

Documenti per STL3N10F7

Schede tecniche : STL3N10F7.pdf

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