DMN2005UFG-13 - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per DMN2005UFG-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN2005UFG-13
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 164nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6495pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.05W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8
Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN2 , DMN200

Documenti per DMN2005UFG-13

Schede tecniche : DMN2005UFG-13.pdf

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Numero parte Marca Descrizione Acquistare

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CDR02BP221BKMSAB

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CAP CER 220PF 100V BP 1805.

WI140266WJ10336BJ1

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B37987F1223M051

EPCOS (TDK)

CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.

WF135242WP30238BJ1

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WF135218WL40238BJ1

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WI140316WQ75236BJ3

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WF125300WJ76238BJ1

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