IXTP05N100P - MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXTP05N100P
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
275060 Pieces
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Specifiche per IXTP05N100P
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXTP05N100P
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Serie : Polar™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 500mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 196pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IXTP05N100P
Schede tecniche : IXTP05N100P.pdf
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