PMPB10XNE,115 - MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

codice articolo del costruttore

PMPB10XNE,115

Numero parte interna

AX-PMPB10XNE,115

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2204440 Pieces

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Specifiche per PMPB10XNE,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMPB10XNE,115

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2175pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DFN2020MD-6

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMPB , PMPB10

Documenti per PMPB10XNE,115

Schede tecniche : PMPB10XNE,115.pdf

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