IRFB4229PBF - MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB

codice articolo del costruttore

IRFB4229PBF

Numero parte interna

AX-IRFB4229PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

108235 Pieces

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Specifiche per IRFB4229PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFB4229PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4560pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 330W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRFB4

Documenti per IRFB4229PBF

Schede tecniche : IRFB4229PBF.pdf

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