FDB12N50FTM-WS - MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

codice articolo del costruttore

FDB12N50FTM-WS

Numero parte interna

AX-FDB12N50FTM-WS

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

312350 Pieces

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Specifiche per FDB12N50FTM-WS

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDB12N50FTM-WS

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Serie : UniFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1395pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 165W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDB1 , FDB12N5

Documenti per FDB12N50FTM-WS

Schede tecniche : FDB12N50FTM-WS.pdf

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