JAN1N5551US - DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

codice articolo del costruttore

JAN1N5551US

Numero parte interna

AX-JAN1N5551US

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

40986 Pieces

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Specifiche per JAN1N5551US

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : JAN1N5551US

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Serie : Military, MIL-PRF-19500/420

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V

Corrente: media rettificata (Io) : 3A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore : D-5B

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per JAN1N5551US

Schede tecniche : JAN1N5551US.pdf

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