AONR21321 - MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP

codice articolo del costruttore

AONR21321

Numero parte interna

AX-AONR21321

fabbricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3129900 Pieces

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Specifiche per AONR21321

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AONR21321

fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 4.1W (Ta), 24W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN-EP (3x3)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AON , AONR

Documenti per AONR21321

Schede tecniche : AONR21321.pdf

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