AONR21321 - MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-AONR21321
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3129900 Pieces
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Specifiche per AONR21321
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
AONR21321
fabbricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione :
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1180pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
4.1W (Ta), 24W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-DFN-EP (3x3)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per AONR21321
Schede tecniche :
AONR21321.pdf
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