MVB50P03HDLT4G - INTEGRATED CIRCUIT

codice articolo del costruttore

MVB50P03HDLT4G

Numero parte interna

AX-MVB50P03HDLT4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

INTEGRATED CIRCUIT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22981 Pieces

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Specifiche per MVB50P03HDLT4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MVB50P03HDLT4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4.9nF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK-3

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MVB5 , MVB50P0

Documenti per MVB50P03HDLT4G

Schede tecniche : MVB50P03HDLT4G.pdf

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