SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI2300DS-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI2300DS-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 320pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI230 , SI2300D

Documenti per SI2300DS-T1-GE3

Schede tecniche : SI2300DS-T1-GE3.pdf

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