GP1M005A050HS - MOSFET N-CH 500V 4A TO220

codice articolo del costruttore
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 4A TO220
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Specifiche per GP1M005A050HS

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : GP1M005A050HS
fabbricante : Global Power Technologies Group
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 4A TO220
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.85 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 602pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 92.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : GP1M , GP1M00

Documenti per GP1M005A050HS

Schede tecniche : GP1M005A050HS.pdf

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