TK100A10N1,S4X - MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

codice articolo del costruttore

TK100A10N1,S4X

Numero parte interna

AX-TK100A10N1,S4X

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

116600 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.406~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha TK100A10N1,S4X in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per TK100A10N1,S4X. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per TK100A10N1,S4X

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK100A10N1,S4X

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8800pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 45W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220SIS

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK10 , TK100A1

Documenti per TK100A10N1,S4X

Schede tecniche : TK100A10N1,S4X.pdf

Prodotti correlati per TK100A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

Numero parte	Marca	Descrizione
WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
WF125300WJ76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.