SI4101DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
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Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI4101DY-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI4101DY-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 203nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8190pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.9W (Ta), 6W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI4101DY-T1-GE3
Schede tecniche : SI4101DY-T1-GE3.pdf
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