DMN1019USN-7 - MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMN1019USN-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
3170210 Pieces
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Specifiche per DMN1019USN-7
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN1019USN-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50.6nC @ 8V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2426pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 680mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-59
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per DMN1019USN-7
Schede tecniche : DMN1019USN-7.pdf
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