DMN1019USN-7 - MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMN1019USN-7
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
3170210 Pieces
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Specifiche per DMN1019USN-7
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMN1019USN-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
50.6nC @ 8V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2426pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
680mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SC-59
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMN1019USN-7
Schede tecniche :
DMN1019USN-7.pdf
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