BSZ0910NDXTMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIFFERENTIATED MOSFETS
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
859425 Pieces
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Specifiche per BSZ0910NDXTMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSZ0910NDXTMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 15V
Potenza - Max :
1.9W (Ta), 31W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-WISON-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSZ0910NDXTMA1
Schede tecniche :
BSZ0910NDXTMA1.pdf
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