BSZ0910NDXTMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

codice articolo del costruttore

BSZ0910NDXTMA1

Numero parte interna

AX-BSZ0910NDXTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

DIFFERENTIATED MOSFETS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

859425 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BSZ0910NDXTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSZ0910NDXTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : DIFFERENTIATED MOSFETS

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta), 25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 15V

Potenza - Max : 1.9W (Ta), 31W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-WISON-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSZ0 , BSZ0910

Documenti per BSZ0910NDXTMA1

Schede tecniche : BSZ0910NDXTMA1.pdf

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