SPP06N60C3HKSA1 - MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SPP06N60C3HKSA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SPP06N60C3HKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 74W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SPP06N60C3HKSA1
Schede tecniche : SPP06N60C3HKSA1.pdf
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