IRLMS1902TRPBF - MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
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MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRLMS1902TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRLMS1902TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.7W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : Micro6™(TSOP-6)
Pacchetto / caso : SOT-23-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRLMS1902TRPBF
Schede tecniche : IRLMS1902TRPBF.pdf
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