SQD19P06-60L_T4GE3 - MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

codice articolo del costruttore

SQD19P06-60L_T4GE3

Numero parte interna

AX-SQD19P06-60L_T4GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

632580 Pieces

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Specifiche per SQD19P06-60L_T4GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQD19P06-60L_T4GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 46W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252AA

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQD19P , SQD19P06-

Documenti per SQD19P06-60L_T4GE3

Schede tecniche : SQD19P06-60L_T4GE3.pdf

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