TK12E60W,S1VX - MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
188930 Pieces
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Specifiche per TK12E60W,S1VX
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TK12E60W,S1VX
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Serie :
DTMOSIV
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 300V
Caratteristica FET :
Super Junction
Dissipazione di potenza (max) :
110W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220
Pacchetto / caso :
TO-220-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TK12E60W,S1VX
Schede tecniche :
TK12E60W,S1VX.pdf
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