PMDPB30XN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

codice articolo del costruttore

PMDPB30XN,115

Numero parte interna

AX-PMDPB30XN,115

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2517665 Pieces

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Specifiche per PMDPB30XN,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMDPB30XN,115

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 10V

Potenza - Max : 490mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-HUSON-EP (2x2)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMDP , PMDPB3

Documenti per PMDPB30XN,115

Schede tecniche : PMDPB30XN,115.pdf

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