FESB8JT-E3/81 - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
565215 Pieces
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Specifiche per FESB8JT-E3/81
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FESB8JT-E3/81
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Corrente: media rettificata (Io) : 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 8A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FESB8JT-E3/81
Schede tecniche : FESB8JT-E3/81.pdf
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