BSS119 E7796 - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BSS119 E7796
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9025 Pieces
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Specifiche per BSS119 E7796
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSS119 E7796
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Serie :
SIPMOS®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
78pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
360mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-23-3
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSS119 E7796
Schede tecniche :
BSS119 E7796.pdf
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