AOD11S60 - MOSFET N-CH 600V 11A TO252

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per AOD11S60

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AOD11S60
fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Serie : aMOS™
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 545pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 208W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : AOD11S60.pdf

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