SQM100N10-10_GE3 - MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
250060 Pieces
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Specifiche per SQM100N10-10_GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SQM100N10-10_GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
185nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
8050pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
375W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-263 (D2Pak)
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SQM100N10-10_GE3
Schede tecniche :
SQM100N10-10_GE3.pdf
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