IPDD60R150G7XTMA1 - MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10

codice articolo del costruttore

IPDD60R150G7XTMA1

Numero parte interna

AX-IPDD60R150G7XTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

245880 Pieces

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Specifiche per IPDD60R150G7XTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPDD60R150G7XTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10

Serie : CoolMOS™ G7

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 260µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 902pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 95W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-HDSOP-10-1

Pacchetto / caso : 10-PowerSOP Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPDD6 , IPDD60R1

Documenti per IPDD60R150G7XTMA1

Schede tecniche : IPDD60R150G7XTMA1.pdf

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