APTM100A13SG - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-APTM100A13SG
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4096 Pieces
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Specifiche per APTM100A13SG
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTM100A13SG
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 562nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 15200pF @ 25V
Potenza - Max : 1250W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP6
Pacchetto dispositivo fornitore : SP6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per APTM100A13SG
Schede tecniche : APTM100A13SG.pdf
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