IPD65R420CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
534060 Pieces
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Specifiche per IPD65R420CFDBTMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPD65R420CFDBTMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
Serie :
CoolMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 340µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
83.3W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO252-3
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPD65R420CFDBTMA1
Schede tecniche :
IPD65R420CFDBTMA1.pdf
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