PMPB12UN,115 - MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

codice articolo del costruttore

PMPB12UN,115

Numero parte interna

AX-PMPB12UN,115

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

19720 Pieces

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Specifiche per PMPB12UN,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMPB12UN,115

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 886pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-DFN2020MD (2x2)

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMPB , PMPB12

Documenti per PMPB12UN,115

Schede tecniche : PMPB12UN,115.pdf

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12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
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