PHKD13N03LT,118 - MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
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Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per PHKD13N03LT,118
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PHKD13N03LT,118
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 752pF @ 15V
Potenza - Max : 3.57W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per PHKD13N03LT,118
Schede tecniche : PHKD13N03LT,118.pdf
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