PHKD13N03LT,118 - MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
27958 Pieces
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Specifiche per PHKD13N03LT,118
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PHKD13N03LT,118
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
10.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
752pF @ 15V
Potenza - Max :
3.57W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PHKD13N03LT,118
Schede tecniche :
PHKD13N03LT,118.pdf
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