STB34N50DM2AG - MOSFET N-CH 500V 26A
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 26A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
206550 Pieces
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Specifiche per STB34N50DM2AG
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STB34N50DM2AG
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 26A
Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 190W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per STB34N50DM2AG
Schede tecniche : STB34N50DM2AG.pdf
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