A2I08H040GNR1 - IC RF LDMOS AMP
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC RF LDMOS AMP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
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Specifiche per A2I08H040GNR1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : A2I08H040GNR1
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : IC RF LDMOS AMP
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : LDMOS (Dual)
Frequenza : 920MHz
Guadagno : 30.7dB
Tensione - Test : 28V
Valutazione attuale : -
Figura di rumore : -
Corrente - Test : 25mA
Potenza - Uscita : 9W
Tensione: nominale : 65V
Pacchetto / caso : TO-270-15 Variant, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-270WBG-15
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per A2I08H040GNR1
Schede tecniche : A2I08H040GNR1.pdf
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