IRFH5301TR2PBF - MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
51816 Pieces
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Specifiche per IRFH5301TR2PBF
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRFH5301TR2PBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
5114pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.6W (Ta), 110W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PQFN (5x6) Single Die
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRFH5301TR2PBF
Schede tecniche :
IRFH5301TR2PBF.pdf
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