FDMS86163P - MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56

codice articolo del costruttore

FDMS86163P

Numero parte interna

AX-FDMS86163P

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

417060 Pieces

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Specifiche per FDMS86163P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMS86163P

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Ta), 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4085pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDM , FDMS8

Documenti per FDMS86163P

Schede tecniche : FDMS86163P.pdf

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