SIZ348DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
861925 Pieces
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Specifiche per SIZ348DT-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SIZ348DT-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
18.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 15V
Potenza - Max :
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-Power33 (3x3)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SIZ348DT-T1-GE3
Schede tecniche :
SIZ348DT-T1-GE3.pdf
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