DS1230AB-120IND - IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

codice articolo del costruttore
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fabbricante
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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per DS1230AB-120IND

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DS1230AB-120IND
fabbricante : Maxim Integrated
Descrizione : IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo di memoria : Non-Volatile
Formato di memoria : NVSRAM
Tecnologia : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria : 256Kb (32K x 8)
Frequenza di clock : -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 120ns
Tempo di accesso : 120ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 4.75V ~ 5.25V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore : 28-EDIP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DS123 , DS1230A

Documenti per DS1230AB-120IND

Schede tecniche : DS1230AB-120IND.pdf

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