AUIRL7766M2TR - MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

codice articolo del costruttore

AUIRL7766M2TR

Numero parte interna

AX-AUIRL7766M2TR

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

371200 Pieces

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Specifiche per AUIRL7766M2TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AUIRL7766M2TR

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5305pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ M4

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric M4

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AUIR , AUIRL7

Documenti per AUIRL7766M2TR

Schede tecniche : AUIRL7766M2TR.pdf

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