ESH1JM RSG - DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

codice articolo del costruttore

ESH1JM RSG

Numero parte interna

AX-ESH1JM RSG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5164645 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.054324~~

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Specifiche per ESH1JM RSG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ESH1JM RSG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 1A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 3pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 2-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore : Micro SMA

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ESH , ESH1J

Documenti per ESH1JM RSG

Schede tecniche : ESH1JM RSG.pdf

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