FDB86569-F085 - MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
490685 Pieces
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Specifiche per FDB86569-F085
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDB86569-F085
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2520pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
94W (Tj)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDB86569-F085
Schede tecniche :
FDB86569-F085.pdf
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