2N7000-G - MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

codice articolo del costruttore

2N7000-G

Numero parte interna

AX-2N7000-G

fabbricante

Microchip Technology

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1230540 Pieces

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Specifiche per 2N7000-G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2N7000-G

fabbricante : Microchip Technology

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Tj)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-92-3

Pacchetto / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2N , 2N70

Documenti per 2N7000-G

Schede tecniche : 2N7000-G.pdf

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