FCPF165N65S3L1 - MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

codice articolo del costruttore

FCPF165N65S3L1

Numero parte interna

AX-FCPF165N65S3L1

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

168805 Pieces

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Specifiche per FCPF165N65S3L1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCPF165N65S3L1

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

Serie : SuperFET® III

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F-3

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCPF , FCPF165

Documenti per FCPF165N65S3L1

Schede tecniche : FCPF165N65S3L1.pdf

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