IPB60R199CPAATMA1 - MOSFET N-CH TO263-3

codice articolo del costruttore

IPB60R199CPAATMA1

Numero parte interna

AX-IPB60R199CPAATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH TO263-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

214580 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPB60R199CPAATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPB60R199CPAATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH TO263-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1520pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 139W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPB60 , IPB60R19

Documenti per IPB60R199CPAATMA1

Schede tecniche : IPB60R199CPAATMA1.pdf

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