JAN1N3766R - DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

codice articolo del costruttore

JAN1N3766R

Numero parte interna

AX-JAN1N3766R

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

11448 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per JAN1N3766R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : JAN1N3766R

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Serie : Military, MIL-PRF-19500/297

Stato parte : Active

Diodo : Standard, Reverse Polarity

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V

Corrente: media rettificata (Io) : 35A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 110A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Chassis, Stud Mount

Pacchetto / caso : DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-5

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per JAN1N3766R

Schede tecniche : JAN1N3766R.pdf

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